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納米粒徑及Zeta電位分析儀Nicomp  Z3000介紹

      NICOMP 380 Z3000納米粒徑與電位分析儀采用*設(shè)計理念優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計，充分有效地融合了動態(tài)光散射(Dynamic Light Scattering, DLS)和電泳光散射(ELS)技術(shù)，即可以多角度（步長0.9μm;）檢測分析液態(tài)納米顆粒系的粒度及粒度分布，又可以小角度測量Zeta電位。粒度測試范圍：粒度測試范圍：0.3 nm – 10 µm。

       NICOMP 380 Z3000納米粒徑與電位分析儀通過檢測分析膠體顆粒的電泳遷移率測量Zeta電位。Zeta電位是對顆粒之間相互排斥或吸引力的強(qiáng)度的度量，是表征膠體分散系穩(wěn)定性的重要指標(biāo)，Zeta電位（正或負(fù)）越高，體系越穩(wěn)定。Zeta電位表征的是粒子之間的排斥力。由于大部分的水相膠體體系是通過粒子之間的靜電排斥力來保持穩(wěn)定的，粒子之間的排斥力越大，粒子越不容易發(fā)生聚集，膠體也會越穩(wěn)定。NICOMP 380 Z3000結(jié)合了動態(tài)光散射技術(shù)（DLS）和電泳光散射法（ELS），實現(xiàn)了同機(jī)測試納米粒子分布和Zeta電勢電位。

應(yīng)用行業(yè)：磨料、化學(xué)機(jī)械拋光液、陶瓷、粘土、涂料、污染監(jiān)測、化妝品、乳劑、食品、液體工作介質(zhì)/油、墨水、  乳液、色漆、制藥粉體、顏料、聚合物、蛋白質(zhì)大分、二氧化硅以及自組裝TiO_2納米管(TNAs)等

自動滴定儀

NICOMP 380 Z3000納米粒徑與電位分析儀在增加自動滴定模塊后，可以一次性使用同一樣品在不同PH值或不同離子濃度的條件下進(jìn)行一系列測試，實現(xiàn)了在等電點測試的技術(shù)難題。

相位分析光散射法PALS（Phase Analyze Light Scattering）技術(shù)

PSS 于 2004 年推出林先的 PALS 技術(shù)，用相位（Phase）變化的分析取代原 先頻譜的漂移，不僅使 Zeta 電位分析的精度及穩(wěn)定性有了顯著的提高，而且突破了水相體系的限制，對油、有機(jī)物體系同樣能提供 Zeta 電位的分析。

NICOMP 380 Z3000 納米粒徑與電位分析儀特點

同機(jī)測試懸浮液體的粒徑分布以及ZETA電勢電位

Zeta電位運(yùn)用了多普勒電泳遷移原理以及的相位分析散射法可以測試水相和有機(jī)相的樣品

檢測范圍寬廣，亞微米顆粒均可以被檢測

樣品測試量小

高辨析率

結(jié)果重現(xiàn)性好，誤差小于1%

100 % 樣品可回收li用

可搭載自動滴定儀, 自動稀釋器和自動進(jìn)樣器

無須校準(zhǔn)

一次性進(jìn)樣，避免交叉污染樣品

可選配大功率激光發(fā)生器以及jun品級APD雪崩二極管檢測器來檢測粒徑小于1nm的顆粒

技術(shù)參數(shù)：

電泳光散射法（ELS）與粒子的動電（Zeta）電位：

      ELS 是將電泳和光散射結(jié)合起來的一種新型光散射。它的光散射理論基礎(chǔ)是 準(zhǔn)彈性碰撞理論，只是在實驗時在式樣槽中多加一個外電場，帶電粒子即以固定 速度向與帶電粒子電性相反的電極方向移動，與之相應(yīng)的動力光散射光譜產(chǎn)生多普勒漂移，這一漂移正比于帶電粒子的移動速度，因此實驗測得譜線的漂移，就 可以求得帶電粒子的電泳速度，從而求得ζ-電位。

相位分析光散射法PALS（Phase Analyze Light Scattering）技術(shù)

PSS 于 2004 年推出林先的 PALS 技術(shù)，用相位（Phase）變化的分析取代原 先頻譜的漂移，不僅使 Zeta 電位分析的精度及穩(wěn)定性有了顯著的提高，而且突破了水相體系的限制，對油、有機(jī)物體系同樣能提供 Zeta 電位的分析。

動態(tài)光散射原理

Nicomp 380納米粒徑分析儀采用動態(tài)光散射（Dynamic Light Scattering, DLS）原理來獲得范圍在0.3 nm到10 μm的膠體體系的粒度分布。DLS是通過一定波長的聚焦激光束照射在懸浮于樣品溶液的粒子上面，從而產(chǎn)生很多的散射光波。這些光波會互相干涉從而影響散射強(qiáng)度，散射強(qiáng)度隨時間不斷波動，二者之間形成一定的函數(shù)關(guān)系。粒子的擴(kuò)散現(xiàn)象（或布朗運(yùn)動）導(dǎo)致光強(qiáng)不斷波動。光強(qiáng)的變化可以通過探測器檢測得到。使用自相關(guān)器分析隨時間而變的光強(qiáng)波動就可以得到粒度分布系數(shù)（Particle size distribution, PSD）。單一粒徑分布的自相關(guān)函數(shù)是一個指數(shù)衰減函數(shù)，由此可以很容易通過衰減時間計算得到粒子擴(kuò)散率。蕞終，粒子的半徑可以很容易地通過斯托克斯（Stokes-Einstein）方程式計算得到。

如下是Nicomp 380納米粒徑分析儀的檢測原理簡圖：

大部分樣品一般都不均勻，往往會呈現(xiàn)多分散體系狀態(tài)，即測出來的粒徑正態(tài)分布范圍會比較大，直觀的呈現(xiàn)是粒徑分布峰比較寬。自相關(guān)函數(shù)是由多組指數(shù)衰減函數(shù)綜合組成，每一個指數(shù)衰減函數(shù)都會因指數(shù)衰減時間不同而存在差異，此時計算自相關(guān)函數(shù)就變得不再簡單。

Nicomp 380納米粒徑分析儀巧妙運(yùn)用了去卷積算法來轉(zhuǎn)化原始數(shù)據(jù)，從而得出蕞接近真實值的粒度分布。Nicomp 尤其適合測試粒度分布復(fù)雜的樣品體系，li用一組*的去卷積算法將簡單的高斯正態(tài)分布模擬成高分辨率的多峰分布模式，這種去卷積分析方法，即得到PSS粒度儀公司*的粒徑分布表達(dá)方法—Nicomp分布（Nicomp Distribution）。

有些儀器的高斯分析模式可以使用基線調(diào)整參數(shù)的功能，以此來補(bǔ)償測試環(huán)境太臟而超出儀器靈敏度的問題。高斯分析模式也可以允許使用者“固體重量模式"或者“囊泡重量模式"來分析帶有小囊泡的膠體體系，比如脂質(zhì)體。

Nicomp分析方法是一種專li的高分辨率的去卷積算法，它*在1990年提出并應(yīng)用于分析和統(tǒng)計粒徑分布。在歷*已經(jīng)證明Nicomp分析方法能夠精確分析非常復(fù)雜的雙峰樣品分散體系（比如 2：1比例），甚至是三峰樣品分散體系。在科學(xué)研究中，找到粒子聚集分布的雜峰是非常有用的。

NICOMP 380 Z3000納米粒徑與電位分析儀廣泛適用于檢測懸浮在水相和有機(jī)相的顆粒物。